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Nothing can replace silicon yet

17 slides · 23 min · 2026-07-06 language
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Nothing can replace silicon yetMade for Freddy Vega, by Hanademi
Nada puede reemplazar al siliciotodavíaMade for Freddy Vega, by Hanademi
Chips grew 90 million times more complexTransistors on the flagship chip, 1971 vs 2024.Made for Freddy Vega, by HanademiSources: Value Add VC. (2026). Moore's Law dashboard: 50 years of transistor and computing growth.Unittransistors208,000,000,000Nvidia Blackwell (2024)2,300Intel 4004 (1971)
Start with the miracle that made everything else. The Intel 4004 carried 2,300 transistors; Nvidia's Blackwell carries 208 billion. That is a 90-million-fold climb in a single working lifetime, and it is why your phone outmuscles a 1990s supercomputer. The rest of this deck is about what happens when that climb hits a wall.
Los chips se volvieron 90 millones de vecesmás complejosTransistores en el chip insignia, 1971 frente a 2024.Made for Freddy Vega, by HanademiFuentes: Value Add VC. (2026). Moore's Law dashboard: 50 years of transistor and computing growth.Unidadtransistores208.000.000.000Nvidia Blackwell (2024)2.300Intel 4004 (1971)
Empecemos por el milagro que hizo posible todo lo demás. El Intel 4004 llevaba 2.300 transistores; el Blackwell de Nvidia lleva 208 mil millones. Es un salto de 90 millones de veces en una sola vida laboral, y por eso tu teléfono supera a un supercomputador de los 90. El resto de esta cubierta trata de qué pasa cuando ese ascenso choca con un muro.
Transistor density climbed more thaneightfoldPeak transistor density by process node, million transistors per square millimeter.Made for Freddy Vega, by HanademiSources: Grokipedia. (2025). Transistor density by process node.Unitmillion per mm²14 nm37.510 nm1007 nm1405 nm1733 nm2002 nm313
Node by node, engineers kept stuffing more transistors into the same silicon. Density went from 37.5 million per square millimeter at 14nm to 313 million at 2nm, more than eight times denser. The trick is real, but each step now costs more and buys less. Physics is closing in.
La densidad de transistores se multiplicópor más de ochoDensidad máxima de transistores por nodo, millones de transistores por milímetro cuadrado.Made for Freddy Vega, by HanademiFuentes: Grokipedia. (2025). Transistor density by process node.Unidadmillones por mm²14 nm37,510 nm1007 nm1405 nm1733 nm2002 nm313
Nodo a nodo, los ingenieros siguieron metiendo más transistores en el mismo silicio. La densidad pasó de 37,5 millones por milímetro cuadrado en 14nm a 313 millones en 2nm, más de ocho veces más densa. El truco es real, pero cada paso cuesta más y rinde menos. La física se acerca.
Below about 2.3 nanometers, electronstunnel straight through silicon'sinsulator and leak away.Applies to the gate insulator, not the overall node label.Sources: Thompson, S., Packan, P., & Bohr, M. MOS scaling: Transistor challenges for the 21st century. Intel.
Here is the hard stop. Once silicon's insulating layer thins below roughly 2.3 nanometers, quantum tunneling lets electrons pass straight through the barrier and leak, no matter how clever the design. You cannot engineer your way around a law of physics. That single number is why everyone is hunting for a replacement.
Por debajo de unos 2,3 nanómetros,los electrones atraviesan el aislantedel silicio y se fugan.Aplica al aislante de compuerta, no a la etiqueta general del nodo.Fuentes: Thompson, S., Packan, P., & Bohr, M. MOS scaling: Transistor challenges for the 21st century. Intel.
Aquí está el tope duro. Cuando la capa aislante del silicio baja de unos 2,3 nanómetros, el efecto túnel deja pasar los electrones a través de la barrera y se fugan, por más ingenioso que sea el diseño. No hay diseño que esquive una ley de la física. Ese solo número explica por qué todos buscan un reemplazo.
Graphene leaves other 2D materials farbehindElectron mobility of candidate 2D materials, cm² per volt-second, lab measurements.Made for Freddy Vega, by HanademiSources: Realistic evaluation of the prospect of replacing silicon with other IC materials. (2023).; Hills, G., et al. (2019). Modernmicroprocessor built from complementary carbon nanotube transistors. Nature.Unitcm²/Vs15,000Graphene5,000Epitaxial graphene326.9Strained MoS275MoS2
In the lab, the contenders look unbeatable. Graphene carries electrons at about 15,000 cm² per volt-second, roughly ten times silicon's pace, and carbon nanotubes are so mature that researchers built a working 16-bit RISC-V microprocessor from over 14,000 of them. But notice the spread: most 2D rivals like molybdenum disulfide sit near the floor. Being fast in one sample is not the same as being manufacturable.
El grafeno deja muy atrás a otrosmateriales 2DMovilidad electrónica de materiales 2D candidatos, cm² por voltio-segundo, medidas de laboratorio.Made for Freddy Vega, by HanademiFuentes: Realistic evaluation of the prospect of replacing silicon with other IC materials. (2023).; Hills, G., et al. (2019). Modernmicroprocessor built from complementary carbon nanotube transistors. Nature.Unidadcm²/Vs15.000Grafeno5.000Grafeno epitaxial326,9MoS2 tensado75MoS2
En el laboratorio, los aspirantes parecen imbatibles. El grafeno lleva electrones a unos 15.000 cm² por voltio-segundo, cerca de diez veces el ritmo del silicio, y los nanotubos de carbono son tan maduros que se armó un microprocesador RISC-V de 16 bits con más de 14.000 de ellos. Pero mira la dispersión: la mayoría de rivales 2D como el disulfuro de molibdeno están cerca del suelo. Ser rápido en una muestra no es lo mismo que ser fabricable.
Wide-bandgap chips triple silicon's energygapBandgap of power-semiconductor materials, electron-volts.Made for Freddy Vega, by HanademiSources: SupplyICs. (2026). Wide bandgap semiconductors in 2026: GaN and SiC move from niche to mainstream.UniteVGaN3.4SiC3.3Silicon1.1
This is the one place a rival already ships at scale. Gallium nitride and silicon carbide have bandgaps around 3.4 and 3.3 electron-volts, roughly triple silicon's 1.1. That wider gap lets them handle far higher voltages and heat, which is why they win in fast chargers, EVs and grid electronics. Notice, though: this is power, not logic. Nobody is building a CPU from these yet.
Los chips de banda ancha triplican la brechadel silicioBrecha de banda de materiales de potencia, electronvoltios.Made for Freddy Vega, by HanademiFuentes: SupplyICs. (2026). Wide bandgap semiconductors in 2026: GaN and SiC move from niche to mainstream.UnidadeVGaN3,4SiC3,3Silicio1,1
Aquí es donde un rival ya se vende a escala. El nitruro de galio y el carburo de silicio tienen brechas cercanas a 3,4 y 3,3 electronvoltios, casi el triple de los 1,1 del silicio. Esa brecha mayor les deja manejar voltajes y calor mucho más altos, por eso ganan en cargadores rápidos, autos eléctricos y electrónica de red. Pero ojo: esto es potencia, no lógica. Nadie construye una CPU con ellos todavía.
GaN and SiC power chips are set to sextupleby 2033GaN and SiC power-semiconductor market, USD billions; 2033 is a projection.Made for Freddy Vega, by HanademiSources: SkyQuest. (2025). GaN and SiC power semiconductor market size, share, and growth analysis.UnitUSD2025$3.6B2033$22.5B6.2x
Money follows the physics. Analysts project the GaN and SiC power-chip market to jump from $3.63 billion in 2025 to $22.48 billion by 2033, more than a sixfold rise. That is a real vote of confidence, but read it carefully: it is the power-electronics niche growing, not silicon losing its grip on logic. The hatched 2033 bar is a forecast, not a fact.
Los chips de potencia GaN y SiC sesextuplicarán para 2033Mercado de semiconductores de potencia GaN y SiC, miles de millones USD; 2033 es proyección.Made for Freddy Vega, by HanademiFuentes: SkyQuest. (2025). GaN and SiC power semiconductor market size, share, and growth analysis.UnidadUSD2025$3,6 mil M2033$22,5 mil M6,2x
El dinero sigue a la física. Los analistas proyectan que el mercado de chips de potencia GaN y SiC salte de 3.630 millones en 2025 a 22.480 millones en 2033, más de seis veces. Es un voto de confianza real, pero léelo con cuidado: crece el nicho de electrónica de potencia, no el silicio perdiendo la lógica. La barra rayada de 2033 es pronóstico, no hecho.
Light-driven tunneling dwarfs the fastesttunneling transistorSwitching frequency of graphene tunneling demos, gigahertz.Made for Freddy Vega, by HanademiSources: Toward high-current-density and high-frequency graphene resonant tunneling transistors. (2025). Nature Communications.;Light-induced quantum tunnelling current in graphene. (2025). Nature Communications.Hanademi analysis: 1.6 petahertz is 1,600,000 gigahertz, and dividing that by the 11-gigahertz transistor speed gives about 145,000 times faster.UnitGHz1,600,000Light-driven graphene tunneling11Graphene tunneling transistor
Here tunneling flips from bug to feature. A graphene resonant tunneling transistor ran at 11 gigahertz, already fast. Then light-driven tunneling in graphene switched in about 630 attoseconds, near 1.6 petahertz, roughly 145,000 times quicker and far past any silicon transistor. The headroom is dizzying, but these are single physics demos, not chips you can buy.
El túnel por luz eclipsa al transistor de túnelmás rápidoFrecuencia de conmutación de demos de túnel en grafeno, gigahercios.Made for Freddy Vega, by HanademiFuentes: Toward high-current-density and high-frequency graphene resonant tunneling transistors. (2025). Nature Communications.;Light-induced quantum tunnelling current in graphene. (2025). Nature Communications.Análisis de Hanademi: 1,6 petahercios equivalen a 1.600.000 gigahercios, y al dividir eso entre los 11 gigahercios del transistor da unas 145.000 vecesmás rápido.UnidadGHz1.600.000Túnel de grafeno por luz11Transistor de túnel de grafeno
Aquí el túnel pasa de fallo a ventaja. Un transistor resonante de túnel de grafeno funcionó a 11 gigahercios, ya rápido. Luego el túnel por luz en grafeno conmutó en unos 630 attosegundos, cerca de 1,6 petahercios, unas 145.000 veces más veloz y muy por encima de cualquier transistor de silicio. El margen marea, pero son demos de física, no chips que puedas comprar.
Enzymes already exploit quantumtunneling to speed the chemicalreactions that keep us alive.The 10,000x Josephson figure and the roughly 10^-21 joule bit-erasure floor bound thedream; the impossibility argument is contested (see appendix).Sources: McFadden, J., & Al-Khalili, J. (2016). Life really does have a vital spark. ABC News.; Datadeep. (2025). Can cryogenic computing solve the datacenter energy crisis?; Norton, J. D. The end of the thermodynamics of computation: A no-go result.
The dream is a lossless chip, and biology teases it: enzymes use quantum tunneling to accelerate the reactions of life. Engineers see the same promise in superconducting Josephson junctions, which switch with about 10,000 times less energy than silicon CMOS. But thermodynamics fights back. Erasing a single bit still costs at least about a billionth of a trillionth of a joule, and some physicists argue a truly lossless transistor may be impossible.
Las enzimas ya aprovechan el túnelcuántico para acelerar las reaccionesquímicas que nos mantienen vivos.La cifra Josephson de 10.000x y el piso de borrado de un bit de unos 10^-21 juliosacotan el sueño; el argumento de imposibilidad es disputado (ver apéndice).Fuentes: McFadden, J., & Al-Khalili, J. (2016). Life really does have a vital spark. ABC News.; Datadeep. (2025). Can cryogenic computing solve the datacenter energy crisis?; Norton, J. D. The end of the thermodynamics of computation: A no-go result.
El sueño es un chip sin pérdidas, y la biología lo insinúa: las enzimas usan el túnel cuántico para acelerar las reacciones de la vida. Los ingenieros ven la misma promesa en las uniones Josephson superconductoras, que conmutan con unas 10.000 veces menos energía que el CMOS de silicio. Pero la termodinámica responde. Borrar un solo bit cuesta al menos cerca de una milmillonésima de billonésima de julio, y algunos físicos sostienen que un transistor sin pérdidas puede ser imposible.
Gallium arsenide was the 1980ssilicon-killer, yet held under 1 percent ofthe market by 1992.Sources: McGhan, H. The rise and fall of gallium arsenide, 1972-1992.
We have been here before. In the 1980s gallium arsenide was crowned the material that would dethrone silicon. A decade later, by 1992, it held under one percent of the chip market. The lab champion kept losing the real race, because manufacturing at scale is a different sport than winning a benchmark. Keep that in mind for every wonder-material headline.
El arseniuro de galio no mató al silicio y en1992 tenía menos del 1 por ciento.Fuentes: McGhan, H. The rise and fall of gallium arsenide, 1972-1992.
Ya hemos estado aquí. En los años 80 el arseniuro de galio fue coronado como el material que destronaría al silicio. Una década después, en 1992, tenía menos del uno por ciento del mercado. El campeón de laboratorio seguía perdiendo la carrera real, porque fabricar a escala es otro deporte que ganar un benchmark. Ten eso presente ante cada titular de material milagroso.
China mines more rare earths than the restcombinedRare-earth mine production, 2025, thousand metric tons of oxide equivalent.Made for Freddy Vega, by HanademiSources: USGS. (2026). Mineral Commodity Summaries 2026: Rare earths mine production by country.; Tom's Hardware. (2025).China's new rare-earth curbs hit 14nm and 256-layer chipmaking.Unitmetric tons REOChina270KUnited States51KAustralia29KMyanmar22K
Now the geopolitics. China mined 270,000 tons of rare earths in 2025, more than double the United States, Australia and Myanmar put together. And it uses that leverage: 2025 export controls specifically target sub-14nm logic and 256-layer memory, the exact frontier everyone wants to reach. Whoever owns the raw materials owns a veto over the whole industry.
China extrae más tierras raras que el restojuntoProducción minera de tierras raras, 2025, miles de toneladas de óxido equivalente.Made for Freddy Vega, by HanademiFuentes: USGS. (2026). Mineral Commodity Summaries 2026: Rare earths mine production by country.; Tom's Hardware. (2025).China's new rare-earth curbs hit 14nm and 256-layer chipmaking.Unidadtoneladas REOChina270KEstados Unidos51KAustralia29KMyanmar22K
Ahora la geopolítica. China extrajo 270.000 toneladas de tierras raras en 2025, más del doble que Estados Unidos, Australia y Myanmar juntos. Y usa esa palanca: los controles de exportación de 2025 apuntan a la lógica por debajo de 14nm y la memoria de 256 capas, la frontera exacta que todos quieren alcanzar. Quien posee las materias primas tiene un veto sobre toda la industria.
China refines nearly 90% of the world'srare earthsChina's share of global rare-earth processing, 2026.Made for Freddy Vega, by HanademiSources: Mining Technology. (2026). China continues to dominate rare earths as diversification efforts gain momentum.Unitpercent90%Processed in China
Mining is only half the choke point. Even where other countries dig ore, it usually ships to China for refining, because China handles nearly 90 percent of the world's rare-earth processing. That is the harder monopoly to break: you can open a mine in a few years, but you cannot stand up a refining industry overnight. Control of the middle of the chain is control of the chain.
China refina casi el 90% de las tierras rarasdel mundoCuota de China en el procesamiento mundial de tierras raras, 2026.Made for Freddy Vega, by HanademiFuentes: Mining Technology. (2026). China continues to dominate rare earths as diversification efforts gain momentum.Unidadpor ciento90 %Procesado en China
La minería es solo la mitad del cuello de botella. Incluso donde otros países extraen mineral, suele enviarse a China para refinarlo, porque China maneja casi el 90 por ciento del procesamiento mundial de tierras raras. Ese monopolio es más difícil de romper: abrir una mina lleva pocos años, pero montar una industria de refinado no se logra de la noche a la mañana. Controlar el centro de la cadena es controlar la cadena.
ASML owns 100% of EUV lithographyASML market share by lithography segment, percent, 2026.Made for Freddy Vega, by HanademiSources: DBS Group Research. (2026). ASML Holding NV: Monopoly in lithography market.Unitpercent100%EUV94%All lithography80%ArF immersion
The second choke point is a single company. Every leading-edge chip on Earth is patterned by an ASML machine, because ASML owns 100 percent of EUV lithography, 94 percent of all lithography, and 80 percent of ArF immersion. There is no plan B on the shelf. If you want sub-5nm chips, you stand in ASML's line, full stop.
ASML posee el 100% de la litografía EUVCuota de mercado de ASML por segmento de litografía, por ciento, 2026.Made for Freddy Vega, by HanademiFuentes: DBS Group Research. (2026). ASML Holding NV: Monopoly in lithography market.Unidadpor ciento100 %EUV94 %Toda la litografía80 %Inmersión ArF
El segundo cuello de botella es una sola empresa. Cada chip de vanguardia del planeta se graba con una máquina de ASML, porque ASML posee el 100 por ciento de la litografía EUV, el 94 por ciento de toda la litografía y el 80 por ciento del ArF. No hay plan B en el estante. Si quieres chips por debajo de 5nm, haces cola en ASML, punto.
ASML's monopoly compounded into fivefoldgrowthASML annual revenue, USD billions, 2015 to 2025.Made for Freddy Vega, by HanademiSources: WallStreetNumbers. (2026). ASML annual revenue, 2015-2025.UnitUSD$0$10B$20B$30B201520172019202120232025In 2015, revenue was $6.97billion.By 2025 it reached $36.87 billion.
A monopoly on the world's most essential machine is a printing press for money. ASML's revenue rose from $6.97 billion in 2015 to $36.87 billion in 2025, more than five times over. Every new node makes chipmakers more dependent, not less, so the flywheel keeps spinning. That is the position any silicon replacement would also have to dislodge.
El monopolio de ASML se convirtió en uncrecimiento de cinco vecesIngresos anuales de ASML, miles de millones USD, 2015 a 2025.Made for Freddy Vega, by HanademiFuentes: WallStreetNumbers. (2026). ASML annual revenue, 2015-2025.UnidadUSD$0$10 mil M$20 mil M$30 mil M201520172019202120232025En 2015, los ingresos eran 6.970millones.Para 2025 llegó a 36.870millones.
Un monopolio sobre la máquina más esencial del mundo es una imprenta de dinero. Los ingresos de ASML pasaron de 6.970 millones en 2015 a 36.870 millones en 2025, más de cinco veces. Cada nuevo nodo hace a los fabricantes más dependientes, no menos, así que el volante sigue girando. Esa es la posición que cualquier reemplazo del silicio también tendría que desalojar.
High-NA EUV tools cost far more thantoday's machinesList price per lithography tool, USD millions.Made for Freddy Vega, by HanademiSources: Yahoo Finance. (2025). Intel CFO confirms 14A more costly with High-NA EUV.; Flamm, K. (2019). Measuring Moore's Law: Evidencefrom price, cost, and quality indexes. NBER.Sources use different measurement bases; read the comparison directionally, not as one exact scale.UnitUSDHigh-NA EUV$375MLow-NA EUV$235M1.6x
The economics have turned against the old miracle. Next-gen High-NA EUV tools cost $350 to $400 million each, well above the $235 million for current machines. And this compounds a deeper problem: for decades chip costs fell 20 to 30 percent a year, but since the 28nm node that engine stalled and cost per transistor has actually risen. Shrinking used to save money; now it burns it.
Las herramientas High-NA cuestan muchomás que las actualesPrecio por herramienta de litografía, millones USD.Made for Freddy Vega, by HanademiFuentes: Yahoo Finance. (2025). Intel CFO confirms 14A more costly with High-NA EUV.; Flamm, K. (2019). Measuring Moore's Law: Evidencefrom price, cost, and quality indexes. NBER.Las fuentes usan bases de medición distintas; lea la comparación como tendencia, no como una escala exacta.UnidadUSDHigh-NA EUV$375 MLow-NA EUV$235 M1,6x
La economía se volvió contra el viejo milagro. Las herramientas High-NA de nueva generación cuestan de 350 a 400 millones cada una, muy por encima de los 235 millones de las actuales. Y esto agrava un problema más profundo: durante décadas los costos de los chips caían del 20 al 30 por ciento anual, pero desde el nodo de 28nm ese motor se frenó y el costo por transistor subió. Encoger solía ahorrar dinero; ahora lo quema.
China narrowed the R&D gap with the UnitedStatesResearch and development spending as a share of GDP, percent, 2000 to 2023.Made for Freddy Vega, by HanademiSources: World Bank. (n.d.). Research and development expenditure (% of GDP) [GB.XPD.RSDV.GD.ZS]. World Bank Open Data.Unitpercent of GDP0%1%2%3%200020042008201220162020ChinaUnitedStatesChina spent 0.88% of GDP in 2000.By 2023 China reached 2.58%.
Every breakthrough that could unseat silicon needs sustained research money, and here the balance is shifting. China's R&D spending climbed from 0.88 percent of GDP in 2000 to 2.58 percent in 2023, while the US crept from 2.62 to 3.45 percent. The gap has not closed, but it has narrowed sharply. The country that already controls the raw materials is also catching up on the ideas.
China acortó la brecha de I+D con EstadosUnidosGasto en investigación y desarrollo como porcentaje del PIB, por ciento, 2000 a 2023.Made for Freddy Vega, by HanademiFuentes: World Bank. (n.d.). Research and development expenditure (% of GDP) [GB.XPD.RSDV.GD.ZS]. World Bank Open Data.Unidadpor ciento del PIB0 %1 %2 %3 %200020042008201220162020ChinaEstadosUnidosChina gastaba el 0,88% del PIB en2000.Para 2023 China llegó al 2,58%.
Cada avance que podría destronar al silicio necesita dinero de investigación sostenido, y aquí el equilibrio cambia. El gasto en I+D de China subió del 0,88 por ciento del PIB en 2000 al 2,58 por ciento en 2023, mientras EE. UU. avanzó del 2,62 al 3,45 por ciento. La brecha no se cerró, pero se estrechó mucho. El país que ya controla las materias primas también se acerca en las ideas.
A challenger to the lithography monopolySources: Digitimes. (2025). Canon and DNP push 1.4nm nanoimprint tech, target 2027 production.
The monopoly is not unchallenged. Canon and Dai Nippon Printing are pushing nanoimprint lithography, which stamps patterns like a wax seal instead of exposing them with light. They aim for 1.4nm production by 2027 using roughly one-tenth of EUV's power. It is a genuine threat to ASML, but like every contender in this deck, it still has to prove itself in high-volume manufacturing.
Un aspirante al monopolio de la litografíaFuentes: Digitimes. (2025). Canon and DNP push 1.4nm nanoimprint tech, target 2027 production.
El monopolio no está sin retos. Canon y Dai Nippon Printing impulsan la litografía por nanoimpresión, que estampa patrones como un sello de cera en vez de exponerlos con luz. Apuntan a producir 1,4nm para 2027 usando cerca de una décima parte de la energía del EUV. Es una amenaza real para ASML, pero como todo aspirante de esta cubierta, aún debe probarse en fabricación de alto volumen.
Industry roadmaps do not expect a fulltransition to 2D chips until around 2041.The 2041 date is an Imec roadmap projection. The share of wafer production still onsilicon (reported above 95 percent) rests on a single lower-confidence source; seeappendix.Sources: IEEE Spectrum. Semiconductor technology roadmap (Imec).; Value Add VC. (2026). Moore's Law dashboard.; IBM. (2026). IBM debutsworld's first sub-1-nanometer chip technology.
So, can we ditch silicon in ten years? The industry's own roadmap says no: a full switch to 2D semiconductor channels is not expected until around 2041. Silicon still holds the vast majority of wafer production and keeps reinventing itself, from TSMC's 2nm gate-all-around chips now in volume to IBM's 2026 sub-1nm sliver holding nearly 100 billion transistors. The challengers are real, but silicon's true replacement is still a decade or more of unsolved physics away.
La industria no espera un cambio total achips 2D hasta alrededor de 2041.La fecha de 2041 es una proyección de la hoja de ruta de Imec. La cuota de producciónde obleas aún en silicio (reportada por encima del 95 por ciento) depende de una solafuente de menor confianza; ver apéndice.Fuentes: IEEE Spectrum. Semiconductor technology roadmap (Imec).; Value Add VC. (2026). Moore's Law dashboard.; IBM. (2026). IBM debutsworld's first sub-1-nanometer chip technology.
Entonces, ¿podemos abandonar el silicio en diez años? La propia hoja de ruta de la industria dice que no: un cambio total a canales de semiconductores 2D no se espera hasta cerca de 2041. El silicio aún domina la gran mayoría de la producción de obleas y se reinventa, desde los chips de compuerta envolvente de 2nm de TSMC en volumen hasta la lámina sub-1nm de IBM de 2026 con casi 100 mil millones de transistores. Los aspirantes son reales, pero el verdadero reemplazo del silicio está a una década o más de física sin resolver.

The research behind this deck

In 53 years the leading chip went from 2,300 to 208 billion transistors, the engine of the whole digital world. Each new node crams in more transistors, from 37.5 million per square millimeter at 14nm to 313 million at 2nm.

Key findings

The argument

This research is published in English and Spanish. Ver en español

La investigación detrás de esta presentación

En 53 años el chip líder pasó de 2.300 a 208 mil millones de transistores, el motor de todo el mundo digital. Cada nodo apila más transistores, de 37,5 millones por milímetro cuadrado en 14nm a 313 millones en 2nm.

Hallazgos clave

El argumento

Esta investigación se publica en inglés y español. Read in English