Western buyers paid near $2,100 a kilo by early 2026 while China's home market held around $300. China's domestic price stayed in a $230-380 band; the Western spike is the cost of depending on a supply one country controls.
Los compradores occidentales pagaban cerca de 2.100 dólares por kilo a inicios de 2026, mientras el mercado interno chino rondaba los 300. El precio interno chino se mantuvo en una banda de 230-380 dólares; el salto occidental es el coste de depender de un suministro que un solo país controla.
China refines about 99% of raw gallium, 85% of germanium and 59% of refined indium. These are the elements that make compound and high-speed chips work, and they flow almost entirely through one country.
China refina cerca del 99% del galio bruto, el 85% del germanio y el 59% del indio refinado. Estos son los elementos que hacen funcionar los chips compuestos y de alta velocidad, y fluyen casi por completo a través de un solo país.
Una prohibición total china a la exportación podría borrar 3.400 millones del PIB de EE. UU. Los fabricantes de chips absorberían más del 40% de esa pérdida, según estima el USGS.
Leading chips jumped from about 4.9 million to roughly 36 million transistors per square millimeter. By 2026 IBM debuted a 0.7-nanometer node, pushing features toward atomic dimensions where quantum effects mount. Figures come from one compiled dataset.
Los chips punteros saltaron de unos 4,9 millones a cerca de 36 millones de transistores por milímetro cuadrado. Para 2026 IBM presentó un nodo de 0,7 nanómetros, acercando los detalles a dimensiones atómicas donde crecen los efectos cuánticos. Las cifras provienen de un solo conjunto de datos.
The same quantum tunneling that leaks transistors also moves protons that mutate DNA. A 2022 study put the tautomer probability at 1.73 x 10^-4, hinting tunneling drives more genetic mutation than once thought.
El mismo efecto túnel cuántico que fuga transistores también mueve protones que mutan el ADN. Un estudio de 2022 fijó la probabilidad de tautómero en 1,73 x 10^-4, sugiriendo que el túnel causa más mutaciones genéticas de lo pensado.
Silicon dioxide stops insulating below 1.2 nm, yet a MoS2 channel works at 0.34 nm, one atom thin. An atom-thin channel gives the gate such tight control that electrons cannot sneak past. A working chip already integrates more than 1,400 MoS2 transistors.
El dióxido de silicio deja de aislar por debajo de 1,2 nm, pero un canal de MoS2 funciona a 0,34 nm, del grosor de un átomo. Un canal de un átomo de grosor da a la puerta un control tan firme que los electrones no pueden escabullirse. Un chip funcional ya integra más de 1.400 transistores de MoS2.
Silicon fights back, as IBM's nanosheet promises 70% less energy than the 2nm node. IBM's stacked nanosheet transistor also targets 50% higher speed, extending silicon's lead even as rivals emerge.
El silicio contraataca: la nanolámina de IBM promete un 70% menos de energía que el nodo de 2nm. El transistor de nanoláminas apiladas de IBM también busca un 50% más de velocidad, prolongando la ventaja del silicio aun cuando surgen rivales.
Gallium arsenide moves electrons about 6.3x faster than silicon, and InGaAs about 3x faster. Speed alone never wins: GaAs was predicted to replace silicon, yet by 1992 it held under 1% of the integrated-circuit market.
El arseniuro de galio mueve electrones unas 6,3 veces más rápido que el silicio, y el InGaAs unas 3 veces más. La velocidad por sí sola nunca gana: se predijo que el GaAs reemplazaría al silicio, pero en 1992 tenía menos del 1% del mercado de circuitos integrados.
A III-V transistor hits 820 GHz; silicon-germanium reaches 798 GHz only at 4 Kelvin and 417 GHz at room temperature. Silicon-germanium can nearly match III-V speed, but only when frozen to cryogenic temperatures few products can use.
Un transistor III-V alcanza 820 GHz; el silicio-germanio llega a 798 GHz solo a 4 kelvin y a 417 GHz a temperatura ambiente. El silicio-germanio casi iguala la velocidad III-V, pero solo congelado a temperaturas criogénicas que pocos productos pueden usar.
GaN power devices are projected to leap from $371M in 2024 to about $2.2B by 2032. GaN replaces silicon in fast chargers and data centers; the 2032 figure is a projection, shown dashed.
Los dispositivos de potencia de GaN saltarían de 371 M$ en 2024 a unos 2.200 M$ para 2032. El GaN reemplaza al silicio en cargadores rápidos y centros de datos; la cifra de 2032 es una proyección, mostrada punteada.
SiC inverters made up 28% of the BEV market in 2023 and now command over half of automotive power inverters. SiC is displacing silicon at the heart of the electric drivetrain. The 55% figure is an early, low-confidence industry estimate.
Los inversores de SiC eran el 28% del mercado BEV en 2023 y hoy dominan más de la mitad de los inversores de potencia para automóviles. El SiC desplaza al silicio en el corazón del tren motriz eléctrico. La cifra del 55% es una estimación industrial temprana y de baja confianza.
STMicro peaked at $17.3B in 2023, then fell to $11.8B by 2025 — a 32% decline in two years. STMicroelectronics, a major SiC and broad-line chip maker, saw revenue contract sharply after its 2023 record, illustrating the cooling in compound-semiconductor demand.
STMicro alcanzó 17.300 M$ en 2023 y cayó a 11.800 M$ en 2025, un descenso del 32 % en dos años. STMicroelectronics, fabricante líder de chips SiC y de amplia gama, sufrió una fuerte contracción de ingresos tras su récord de 2023, ilustrando el enfriamiento en la demanda de semiconductores compuestos.
A 150mm silicon carbide wafer runs $500-800 versus $5-10 for silicon, roughly 100 times more. That cost gap is the catch that slows every switch away from silicon, even when the new material performs better.
Una oblea de carburo de silicio de 150mm cuesta 500-800 dólares frente a 5-10 del silicio, unas 100 veces más. Esa brecha de coste es el obstáculo que frena cada cambio fuera del silicio, aun cuando el nuevo material rinde mejor.
ASML's EUV shipments peaked at 54 in 2022 and eased to 48 by 2025, a chokepoint for the whole industry. ASML holds a near-total EUV share (estimates range 94-100%, contested). Each high-NA machine costs about $400M and weighs 180 tons; Intel reserved ASML's entire 2024 high-NA output at roughly $370M each.
Los envíos EUV de ASML llegaron a 54 en 2022 y bajaron a 48 en 2025, un cuello de botella para toda la industria. ASML tiene una cuota EUV casi total (estimaciones de 94-100%, en disputa). Cada máquina high-NA cuesta unos 400 M$ y pesa 180 toneladas; Intel reservó toda la producción high-NA de 2024 a unos 370 M$ cada una.
Canon's nanoimprint prints 14nm features at a tenth the power, and directed self-assembly patterns 18nm pitch. The U.S. also backs xLight's $150M free-electron-laser as a domestic EUV light source. Canon's figure is a feature size; DSA's is a line/space pitch.
La nanoimpresión de Canon imprime detalles de 14nm con un décimo de la energía, y el autoensamblaje dirigido traza un paso de 18nm. EE. UU. también respalda el láser de electrones libres de xLight (150 M$) como fuente de luz EUV nacional. La cifra de Canon es un tamaño de detalle; la de DSA es un paso de línea/espacio.
The entire $150M xLight program is just 38% of a single $400M tool it must out-compete. One company holds the only key to the frontier, and the homegrown alternative is funded at a fraction of one machine.
Todo el programa xLight de 150 M$ es apenas el 38% de una sola herramienta de 400 M$ a la que debe superar. Una sola empresa tiene la única llave de la frontera, y la alternativa nacional se financia con una fracción de una máquina.
South Korea's roughly $260B in tax breaks dwarfs the U.S. CHIPS Act's $52.7B. DARPA adds $1.5B over five years for beyond-silicon research. Figures are approximate, converted from local currencies.
Los unos 260.000 M$ en incentivos de Corea del Sur empequeñecen los 52.700 M$ de la ley CHIPS de EE. UU. DARPA suma 1.500 M$ en cinco años para investigación más allá del silicio. Las cifras son aproximadas, convertidas de monedas locales.
Korea spends about 4.9% of GDP on R&D, above the U.S. at 3.4%, while China climbs from 1.7% to 2.6%. Research intensity is where the next substrate gets funded; Korea's lead pairs with its $260B subsidy pledge.
Corea gasta cerca del 4,9% del PIB en I+D, por encima del 3,4% de EE. UU., mientras China sube del 1,7% al 2,6%. La intensidad de investigación es donde se financia el próximo sustrato; el liderazgo coreano acompaña su promesa de subsidios de 260.000 M$.
America aims to make 20% of the world's leading-edge logic chips by 2030, up from zero. CHIPS spending targets a leap from 0% in 2022; whoever breaks the machine monopoly will own the next substrate.
EE. UU. busca fabricar el 20% de los chips lógicos de vanguardia para 2030, partiendo de cero. El gasto de la ley CHIPS apunta a un salto desde el 0% de 2022; quien rompa el monopolio de máquinas será dueño del próximo sustrato.
Western buyers paid near $2,100 a kilo by early 2026 while China's home market held around $300. China refines about 99% of raw gallium, 85% of germanium and 59% of refined indium.
Key findings
A single high-NA EUV machine costs roughly $400 million, weighs about 180 tons, and needs 25 to 30 trucks to move, making the bottleneck almost impossible to copy. MIT Technology Review
ASML is the only company on Earth that makes extreme ultraviolet lithography machines, holding essentially 100% of the market that every leading-edge chipmaker depends on. Moatware
ASML's EUV shipments climbed from 26 machines in 2019 to a peak of 54 in 2022, then eased to 53 in 2023 and 48 in 2025. EUVL Workshop
Canon's nanoimprint stamping machine prints 14nm features, matching the 5nm node, while using about a tenth of the power and a fraction of the cost of an EUV system. Canon Inc.
China controls the elements inside today's chips: about 99% of raw gallium, 80-85% of germanium refining, and roughly 57-59% of refined indium. U.S. Geological Survey
DARPA's Electronics Resurgence Initiative is putting $1.5 billion over five years into new chip designs and materials to push computing beyond silicon. Science (AAAS)
The same quantum tunneling that leaks chips also moves protons in DNA: one study finds a tautomer probability of 1.73 x 10^-4, hinting tunneling drives more genetic mutation than thought. Communications Physics (Nature)
Directed self-assembly, where polymers form their own circuit lines, has demonstrated 18-nanometer pitch patterning in a manufacturing-compatible setting. imec
The fastest III-V transistor reaches 820 GHz; silicon-germanium hits 798 GHz only at cryogenic 4 Kelvin and just 417 GHz at room temperature. IOPscience
History warns caution: gallium arsenide was once predicted to replace silicon, yet by 1992 it held less than 1% of the integrated-circuit market. McGhan (academic paper)
Western gallium import prices hit an all-time high near $2,100 per kilogram by early 2026 after China's export controls, while China's domestic price stayed around $230-380. GalliumPrice.com
The GaN power-device market is projected to leap from $371 million in 2024 to $500 million in 2025 and about $2.2 billion by 2032 as GaN replaces silicon in chargers and data centers. Semiconductor Insight
The argument
A full Chinese export ban could erase $3.4 billion from U.S.
Leading chips jumped from about 4.9 million to roughly 36 million transistors per square millimeter.
The same quantum tunneling that leaks transistors also moves protons that mutate DNA.
Silicon dioxide stops insulating below 1.2 nm, yet a MoS2 channel works at 0.34 nm, one atom thin.
Silicon fights back, as IBM's nanosheet promises 70% less energy than the 2nm node.
Gallium arsenide moves electrons about 6.3x faster than silicon, and InGaAs about 3x faster.
This research is published in English and Spanish. Ver en español
La investigación detrás de esta presentación
Los compradores occidentales pagaban cerca de 2.100 dólares por kilo a inicios de 2026, mientras el mercado interno chino rondaba los 300. China refina cerca del 99% del galio bruto, el 85% del germanio y el 59% del indio refinado.
Hallazgos clave
Una sola máquina EUV de alta apertura cuesta unos 400 millones de dólares, pesa cerca de 180 toneladas y requiere de 25 a 30 camiones para trasladarse, haciendo casi imposible copiar el cuello de botella. MIT Technology Review
ASML es la única empresa del mundo que fabrica máquinas de litografía ultravioleta extrema, con prácticamente el 100% del mercado del que depende todo fabricante de chips de vanguardia. Moatware
Los envíos EUV de ASML subieron de 26 máquinas en 2019 a un máximo de 54 en 2022, y luego bajaron a 53 en 2023 y 48 en 2025. EUVL Workshop
La máquina de nanoimpresión de Canon imprime detalles de 14nm, equivalente al nodo de 5nm, usando alrededor de un décimo de la energía y una fracción del coste de un sistema EUV. Canon Inc.
China controla los elementos dentro de los chips actuales: cerca del 99% del galio bruto, el 80-85% del refinado de germanio y aproximadamente el 57-59% del indio refinado. U.S. Geological Survey
La Iniciativa de Resurgimiento Electrónico de DARPA destina 1.500 millones de dólares en cinco años a nuevos diseños y materiales de chips para llevar la computación más allá del silicio. Science (AAAS)
El mismo efecto túnel cuántico que descarga los chips también mueve protones en el ADN: un estudio halla una probabilidad de tautómero de 1,73 x 10^-4, sugiriendo que el túnel causa más mutaciones de lo pensado. Communications Physics (Nature)
El autoensamblaje dirigido, donde los polímeros forman sus propias líneas de circuito, demostró un trazado con paso de 18 nanómetros en un entorno compatible con la fabricación. imec
El transistor III-V más rápido alcanza 820 GHz; el silicio-germanio llega a 798 GHz solo a 4 kelvin criogénicos y apenas 417 GHz a temperatura ambiente. IOPscience
La historia aconseja cautela: se predijo que el arseniuro de galio reemplazaría al silicio, pero para 1992 tenía menos del 1% del mercado de circuitos integrados. McGhan (academic paper)
El precio de importación del galio en Occidente alcanzó un máximo histórico cercano a 2.100 dólares por kilo a inicios de 2026 tras los controles chinos, mientras el precio interno chino se mantuvo en 230-380. GalliumPrice.com
El mercado de dispositivos de potencia de GaN saltaría de 371 millones de dólares en 2024 a 500 millones en 2025 y unos 2.200 millones para 2032, mientras el GaN reemplaza al silicio en cargadores y centros de datos. Semiconductor Insight
El argumento
Una prohibición total china a la exportación podría borrar 3.400 millones del PIB de EE.
Los chips punteros saltaron de unos 4,9 millones a cerca de 36 millones de transistores por milímetro cuadrado.
El mismo efecto túnel cuántico que fuga transistores también mueve protones que mutan el ADN.
El dióxido de silicio deja de aislar por debajo de 1,2 nm, pero un canal de MoS2 funciona a 0,34 nm, del grosor de un átomo.
El silicio contraataca: la nanolámina de IBM promete un 70% menos de energía que el nodo de 2nm.
El arseniuro de galio mueve electrones unas 6,3 veces más rápido que el silicio, y el InGaAs unas 3 veces más.
Esta investigación se publica en inglés y español. Read in English
